半导体CMP工艺中使用的Ceria Slurry是由直径为80nm~300nm的颗粒和超纯水以及Chemical混合而成的悬浮液，其作用是对研磨对象的膜质进行化学性、机械性研磨。研磨时与Ceria Slurry一起使用的Additive可根据不同膜质、进行工艺中要求的选择性研磨。
Calcined Ceria Slurry
· Particle Size : 80nm~300nm
· Application : 用于半导体CMP工艺
· 可根据Particle Size调整研磨量
· 使用Small Size颗粒时，Defect 及Scratch性能优秀
· 根据工艺Target，可作为客户定制型产品方案
· 和特定Additive混合/使用，控制Silicon Nitride及Poly-Si膜质的选择比
Colloidal Ceria Slurry
· Particle Size : 10nm~140nm
· Application : 用于半导体CMP工艺
· 可根据Particle Size调整研磨量
· 用于Advanced Device工艺，形状均匀，粒度分布偏差小，Defect 及Scratch性能优秀
· 和特定Additive混合/使用，控制Silicon Nitride及Poly-Si膜质的选择比
Ceria Slurry用Additive
Silicon Dioxide Self Stop Additive
· 实现了消除Silicon Dioxide的段差后自动停止的性能
Silicon Nitride, Poly-Si Stop Additive
· 控制Silicon Nitride, Poly-Si 膜质的选择比
· 控制Dishing & Erosion
CMP 工艺中用于Metal Contact / Plug & Poly工序的Slurry，是由Collodial Silica和功能性Chemical混合于纯水中使用的悬浮液。改善了现有产品的不足，能满足World Top Customer要求的工艺性能，现应用于advance Node Application。
W Buff Slurry
· Ferric Ion Free & Defect Free
· 可控制W 膜质的Topography
W Bluk Slurry
· Particle Size : 10nm~140nm
· 可控制AW及Oxide膜质的选择比(W:OX=10~100:1)
· Pattern中优异的 Erosion & Dishing特性
Poly-Si Buff Slurry
· 控制及改善Poly-Si, Silicon Nitride 膜质的Topography & Roughness
· 改善Poly-Si & Silicon Nitride膜质的Defect及Scratch性能
Poly-Si Bulk Slurry
· 控制Poly-Si, Silicon Dioxide, Silicon Nitride膜质的选择比
· Poly-Si膜质优异的Defect 及Scratch 性能
是一种能有效去除CMP后Wafer中残留的研磨颗粒，Organic Residues，Metal Impurities等杂质的功能性洗涤化学制品，可在CMP设备的Brush Box或Platen中使用。该产品绿色环保，洗涤效果出色，有望提高半导体投入产出率。
Post Ceria Slurry CMP Cleaner
· Easily dissolves Ceria for effective elimination of defects.
· An eco-friendly product that removes HF related to CMP and subsequent SPM (H2SO4 & H2O2 Mixed) process.
· Applies Silicon Dioxide, Silicon Nitride and Poly-Si films.
On Platen Buffing Cleaner
· 亲水性表面处理
· 适用于Silicon Nitride，Poly-Si，单晶Si膜质
Post W Slurry CMP Cleaner
· 消除了低W蚀刻缺陷及金属污染
· 适用于W，Silicon Dioxide，Silicon Nitride，Barrier Metal膜质
Post Cu Slurry CMP Cleaner
· 抗腐蚀及螯合能力优秀
· 适用于Cu，Silicon，Dioxide，Barrier Metal膜质
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